Dotiergemisch für die Dotierung von Halbleitern
EP1888822
Art A1
20. Februar 2008
Anmelder: centrotherm photovoltaics AG, Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1888822
- Aktenzeichen
- EP06754014
- Anmeldetag
- 31. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B31/04H01L21/225H01L29/167
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- centrotherm photovoltaics AG
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Fraunhofer-Gesellschaft
Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.
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