Auf Germanium Basierender Kanaltransistor mit Einschliessung durch eine Gate-Elektrode und Verfahren zur Herstellung Dieses Transistors
EP1889296
Art A1
20. Februar 2008
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, STMICROELECTRONICS SA, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1889296
- Aktenzeichen
- EP06764670
- Anmeldetag
- 23. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 20. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
STMICROELECTRONICS SA
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hecké, Gérard
Grenoble, Frankreich
573
Patente gesamt
30
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Jouvray, Marie-Andrée
NoneGrenoble