Verfahren zur Entfernung einer Dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von Kristallinen Silizium-Solarwafern

EP1891683 Art A1 27. Februar 2008

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Centrotherm Photovoltaics AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1891683
Aktenzeichen: EP06761679
Anmeldetag: 14. Juni 2006
Veröffentlichung: 27. Februar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/18H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Centrotherm Photovoltaics AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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