Verfahren zur Herstellung einer dünnschichtigen zweidimensionalen photonischen Kristallstruktur
EP1892546
Art A3
12. März 2008
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1892546
- Aktenzeichen
- EP07253330
- Anmeldetag
- 23. August 2007
- Veröffentlichung
- 12. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G02B6/13C30B29/60G02B6/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
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