Verfahren zur Dotierung eines FIN-basierten Halbleiterbauelements

EP1892765 Art A1 27. Februar 2008

Anmelder: IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1892765
Aktenzeichen: EP06119425
Anmeldetag: 23. August 2006
Veröffentlichung: 27. Februar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von