Verfahren und Vorrichtung mit Erhöhtem Basiszugriffswiderstand für einen Bipolaren Npn-Transistor
EP1894251
Art A2
5. März 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1894251
- Aktenzeichen
- EP06765714
- Anmeldetag
- 1. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 5. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven