Defektreduktion von Nichtplanaren und Semipolaren Iii-Nitriden mit Lateralem Seitenwand-Epitaxialüberwachstum (sleo)
Anmelder: The Regents of the University of California, Japan Science and Technology Agency 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1897121
- Aktenzeichen
- EP06760567
- Anmeldetag
- 31. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 12. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00H01L21/02H01L21/205
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- The Regents of the University of California
Japan Science and Technology Agency - Land
- 🇺🇸 USA
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