Substratkontakt für Gekapptes Mems und Verfahren zur Herstellung des Substratkontakts auf Waferebene
EP1897122
Art A2
12. März 2008
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1897122
- Aktenzeichen
- EP06773131
- Anmeldetag
- 13. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 12. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B3/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse