Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid-Substrat, Gruppe-III-Nitrid-Substrat, Gruppe-III-Nitrid-Substrat mit Epitaxialschicht, Gruppe-III-Nitrid-Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-III-Nitrid-Substrats mit Epitaxialschicht und Verfahren zur Herstellung einer Gruppe-III-Nitrid-Vorrichtung
EP1897978
Art A1
12. März 2008
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1897978
- Aktenzeichen
- EP07016218
- Anmeldetag
- 17. August 2007
- Veröffentlichung
- 12. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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