Plasmanitrierungsverfahren, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Plasmaverarbeitungsvorrichtung

EP1898456 Art A1 12. März 2008

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY, TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1898456
Aktenzeichen: EP06757104
Anmeldetag: 7. Juni 2006
Veröffentlichung: 12. März 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOHOKU UNIVERSITY
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von