Verbesserung an einem Verabreichungsprofil von in Situ Verabreichten Emittern vom Typ N
EP1900015
Art A2
19. März 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1900015
- Aktenzeichen
- EP06765881
- Anmeldetag
- 26. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 19. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/08H01L29/10
Abstract
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Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Röggla, Harald
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