Bipolartransistor und Herstellungsverfahren dafür

EP1900034 Art B1 10. August 2011

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1900034
Aktenzeichen
EP06765787
Anmeldetag
20. Juni 2006
Veröffentlichung
10. August 2011
Erteilung
10. August 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/732H01L21/331
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.929 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen