Verfahren zur Kristallisierung einer Halbleiterfolie und durch dieses Verfahren kristallisierte Halbleiterfolie
EP1901347
Art A3
18. Juli 2012
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1901347
- Aktenzeichen
- EP07252613
- Anmeldetag
- 27. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 18. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Vertreten von
Brown, Kenneth Richard
London, Großbritannien
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