Halbleiterbauelement
EP1907992
Art B1
15. September 2010
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1907992
- Aktenzeichen
- EP06756866
- Anmeldetag
- 25. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 15. September 2010
- Erteilung
- 15. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06K19/07H01L21/822H01L27/04H01L29/786H02J17/00H04B1/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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