Technik zum Bilden von Kontaktisolationsschicht-Silizidregionen mit Verschiedenen Eigenschaften
EP1908103
Art B1
5. Januar 2011
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1908103
- Aktenzeichen
- EP06760261
- Anmeldetag
- 23. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2011
- Erteilung
- 5. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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