Hochdichter Nichtflüchtiger Nand-Speicherbaustein
EP1908108
Art A2
9. April 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1908108
- Aktenzeichen
- EP06774620
- Anmeldetag
- 12. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 9. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247H01L21/8246G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
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