Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
EP1908118
Art B1
18. Dezember 2019
Anmelder: Nissan Motor Company Limited, ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1908118
- Aktenzeichen
- EP06767745
- Anmeldetag
- 26. Juni 2006
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2019
- Erteilung
- 18. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/267H01L21/336H01L29/772H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Nissan Motor Company Limited
ROHM CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Motor
Japanischer Automobilkonzern mit Sitz in Yokohama. Nissan entwickelt und produziert Personenkraftwagen, Nutzfahrzeuge sowie Elektro- und Hybridantriebe und ist zudem in Fahrassistenzsystemen und Fahrzeugvernetzung aktiv.
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🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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