Sputtertarget, Herstellungsverfahren Dafür, durch Verwendung eines Derartigen Sputtertargets Gebildeter Sputterdünnfilm und Organische El-Vorrichtung unter Verwendung eines Derartigen Dünnfilms
EP1908858
Art A1
9. April 2008
Anmelder: OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd., Rohm Co., Ltd., Kido, Jyunji, Kido, Junji, International Manufacturing and Engineering Services Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1908858
- Aktenzeichen
- EP06780718
- Anmeldetag
- 3. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 9. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C14/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd.
Rohm Co., Ltd.
Kido, Jyunji
Kido, Junji
International Manufacturing and Engineering Services Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Fachgebiete
Vertreten von
Hartz, Nikolai
München, Deutschland
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