Herstellungsverfahren eines vertikalen MOSFETs mit Graben-Gate
EP1909331
Art B1
11. Mai 2011
Anmelder: Power Integrations, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1909331
- Aktenzeichen
- EP07253213
- Anmeldetag
- 15. August 2007
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2011
- Erteilung
- 11. Mai 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/423H01L29/40H01L21/336// H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Power Integrations, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Power Integrations
Power Integrations ist ein US-amerikanisches Unternehmen für Halbleiterlösungen in der Leistungselektronik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf elektrische Energietechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik und Schaltungstechnik. Anmeldungen laufen durchgehend seit dem Jahr 2000.
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Vertreten von
Peterreins, Frank
München, Deutschland
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Weitere Vertreter
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Pitchford, James Edward
Mathys & Squire · London