Verfahren zur Bildung von Speicherschaltkreisen mit Verschiedenen Isolierenden Seitenwand-Abstandsschichten
EP1911076
Art A2
16. April 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1911076
- Aktenzeichen
- EP06787295
- Anmeldetag
- 13. Juli 2006
- Veröffentlichung
- 16. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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