Lichtemittierende Halbleitervorrichtung auf der Basis von ZnO und Herstellungsverfahren dafür

EP1912298 Art A1 16. April 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Rohm Co., Ltd., National Institute Of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1912298
Aktenzeichen: EP07123034
Anmeldetag: 26. Juli 2000
Veröffentlichung: 16. April 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/327

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Rohm Co., Ltd.
National Institute Of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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