Halbleiterbauelement
EP1914670
Art B1
3. April 2013
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1914670
- Aktenzeichen
- EP07019954
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 3. April 2013
- Erteilung
- 3. April 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06K19/073G06K19/07G11C5/14G11C16/30H02M3/07
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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