Feldeffekt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP1915782
Art A1
30. April 2008
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1915782
- Aktenzeichen
- EP05782905
- Anmeldetag
- 10. August 2005
- Veröffentlichung
- 30. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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