Feldeffektransistor mit einem Amorphen Oxidfilm als Kanalschicht, Herstellungsverfahren für einen Feldeffekttransistor mit einem Amorphen Oxidfilm als Kanalschicht und Herstellungsverfahren für einen Amorphen Oxidfilm

EP1915784 Art A1 30. April 2008

Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1915784
Aktenzeichen: EP06797762
Anmeldetag: 5. September 2006
Veröffentlichung: 30. April 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CANON KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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