Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und auf diese Weise hergestelltes Halbleiterbauelement
EP1916706
Art B1
31. August 2016
Anmelder: IMEC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (TSMC), Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC), Texas Instruments Incorporated 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1916706
- Aktenzeichen
- EP07075908
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 31. August 2016
- Erteilung
- 31. August 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/49H01L29/51H01L21/3215
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (TSMC)
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC)
Texas Instruments Incorporated - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bird, Ariane
Heverlee, Belgien
622
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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