Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP1916710
Art A1
30. April 2008
Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1916710
- Aktenzeichen
- EP07020815
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 30. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Technology Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Technology
Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.
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Klein, Peter
München, Deutschland
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