Verfahren zur Dotierung einer FIN-basierten Halbleitervorrichtung
EP1916717
Art A3
22. Dezember 2010
Anmelder: IMEC VZW, IMEC, Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1916717
- Aktenzeichen
- EP07114868
- Anmeldetag
- 23. August 2007
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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