Aluminiumnitrideinkristallfilm, mit Aluminiumnitrideinkristall Laminiertes Substrat und Herstellungsverfahren dafür
EP1918429
Art A1
7. Mai 2008
Anmelder: Tokuyama Corporation, TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1918429
- Aktenzeichen
- EP06768428
- Anmeldetag
- 1. August 2006
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tokuyama Corporation
TOHOKU UNIVERSITY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
837 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Albrecht, Thomas
München, Deutschland
2.528
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte