Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung darfür
EP1918995
Art B1
18. September 2013
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1918995
- Aktenzeichen
- EP07021194
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 18. September 2013
- Erteilung
- 18. September 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/144H01L31/02H01L31/0224H01L31/105H01L31/0216H01L27/32H01M10/46H03F3/08H02J7/02H01L31/18H01L31/0232
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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