Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung

EP1921667 Art B1 3. Mai 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1921667
Aktenzeichen: EP07021213
Anmeldetag: 30. Oktober 2007
Veröffentlichung: 3. Mai 2017
Erteilung: 3. Mai 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/02B23K26/073H01L27/12H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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