Verfahren für das Wachsen einer Verbindungshalbleiterschicht auf einer Metallschicht
EP1921668
Art B1
11. Mai 2016
Anmelder: Siltron Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1921668
- Aktenzeichen
- EP07120215
- Anmeldetag
- 7. November 2007
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2016
- Erteilung
- 11. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L33/38H01S5/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltron Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Fachgebiete
Vertreten von
Habermann, Gert
München, Deutschland
34
Patente gesamt
17
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Habermann, Hruschka & Schnabel
Habermann, Hruschka & Schnabel · München