GaN-basierte HEMTs mit vergrabenen Feldplatten
EP1921669
Art B1
2. September 2015
Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1921669
- Aktenzeichen
- EP07018026
- Anmeldetag
- 13. September 2007
- Veröffentlichung
- 2. September 2015
- Erteilung
- 2. September 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L29/423H01L29/778H01L29/40// H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
CREE, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Brophy, David Timothy
Dublin, Irland
893
Patente gesamt
32
Fachgebiete
25
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Boyce, Conor
NoneDublin
-
Crawford, Andrew Birkby
NoneLondon