Materialien zur N-Dotierung der Elektronentransportschichten in Organischen Elektronischen Bauelementen
EP1922322
Art B1
28. November 2012
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Siemens Aktiengesellschaft 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1922322
- Aktenzeichen
- EP06792961
- Anmeldetag
- 23. August 2006
- Veröffentlichung
- 28. November 2012
- Erteilung
- 28. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C07F5/02H05B33/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Siemens Aktiengesellschaft - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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🇩🇪
Siemens
Deutscher Technologiekonzern mit Sitz in München und Berlin. Aktiv in Automatisierungstechnik, Digitalisierung, Energie- und Bahntechnik sowie Industriesoftware für Industrie, Infrastruktur und Mobilität.
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