Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

EP1922749 Art B1 4. Juli 2018

Anmelder: Infineon Technologies Americas Corp., INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1922749
Aktenzeichen
EP06813505
Anmeldetag
16. August 2006
Veröffentlichung
4. Juli 2018
Erteilung
4. Juli 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/06H01L29/40H01L21/336// H01L29/417H01L29/423
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Infineon Technologies Americas Corp.
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Weitzel, Wolfgang Heidenheim, Deutschland
452
Patente gesamt
30
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Optik & Fototechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Maschinenelemente & Fluidtechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen