Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Auf-Isolation-Heterostruktur
EP1922751
Art B1
17. August 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1922751
- Aktenzeichen
- EP06793255
- Anmeldetag
- 6. September 2006
- Veröffentlichung
- 17. August 2011
- Erteilung
- 17. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
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