Halbleitervorrichtung mit Gekoppelter Dielektrischer Schicht und Metallschicht, Herstellungsverfahren dafür und Material zum Koppeln einer Dielektrischen Schicht und einer Metallschicht in einer Halbleitervorrichtung
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1924632
- Aktenzeichen
- EP06793135
- Anmeldetag
- 1. September 2006
- Veröffentlichung
- 16. April 2014
- Erteilung
- 16. April 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C08G77/04C07F7/08C07F7/10C07F7/12C07F7/18C09C1/30C23C18/18C23C18/31C23C18/54H01L21/461
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Freescale Semiconductor, Inc.
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇺🇸 USA
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Röggla, Harald
NoneWien