Sram-Zelle mit Separaten Lese-Schreib-Schaltkreisen

EP1924998 Art A2 28. Mai 2008

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1924998
Aktenzeichen
EP06789566
Anmeldetag
9. August 2006
Veröffentlichung
28. Mai 2008
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/41G11C11/412H01L27/11H01L21/8244
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.297 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von
Zeller, Andreas Texas Instruments Deutschland GmbH · Inhouse Freising, Deutschland
1.261
Patente gesamt
26
Fachgebiete
14
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