Kappschichtbildung auf einem Doppel-Damascene-Verbindungselement
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1925024
- Aktenzeichen
- EP05790964
- Anmeldetag
- 1. September 2005
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2012
- Erteilung
- 25. Januar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Freescale Semiconductor, Inc.
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇺🇸 USA
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Fachgebiete
-
Röggla, Harald
NoneWien