Verfahren zum Verbessern der Oberfläche eines Halbleitersubstrats

EP1926130 Art A1 28. Mai 2008

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1926130
Aktenzeichen: EP06291827
Anmeldetag: 27. November 2006
Veröffentlichung: 28. Mai 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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