Chromfreie Ätzlösung für Si-Substrate und SiGe-Substrate, Verfahren zum Präparieren von Defekten diese Ätzlösung verwendend und Verfahren zum Behandeln von Si-Substraten und SiGe-Substraten diese Ätzlösung verwendend
EP1926132
Art A1
28. Mai 2008
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1926132
- Aktenzeichen
- EP06291823
- Anmeldetag
- 23. November 2006
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/3213H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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