Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Isolationsbereich und mit Diesem Verfahren Hergestellte Halbleitervorrichtung
EP1927133
Art A2
4. Juni 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1927133
- Aktenzeichen
- EP06795914
- Anmeldetag
- 5. September 2006
- Veröffentlichung
- 4. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven