Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterheterostruktur

EP1928020 Art B1 22. April 2020

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1928020
Aktenzeichen: EP06291860
Anmeldetag: 30. November 2006
Veröffentlichung: 22. April 2020
Erteilung: 22. April 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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