Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung mit vollständigem Dual-Silizidgate
EP1928021
Art A1
4. Juni 2008
Anmelder: IMEC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1928021
- Aktenzeichen
- EP07075957
- Anmeldetag
- 5. November 2007
- Veröffentlichung
- 4. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
2.621 Patente in unserer Datenbank
🇹🇼
Taiwan Semiconductor Manufacturing
Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.
354 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bird, William Edward
Heverlee, Belgien
884
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte