Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Nitrid- und Oxidschichten
EP1929513
Art A1
11. Juni 2008
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1929513
- Aktenzeichen
- EP06783160
- Anmeldetag
- 28. August 2006
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/314
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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