Prozess zum Integrieren von Planaren und Nichtplanaren Cmos-Transistoren auf ein Bulk-Substrat und daraus Hergestellter Artikel
EP1929516
Art A2
11. Juni 2008
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1929516
- Aktenzeichen
- EP06815547
- Anmeldetag
- 26. September 2006
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/336H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Vertreten von
Want, Clifford James
London, Großbritannien
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HGF
HGF · München