Verfahren zur Verwendung einer Speicherzelle mit einem Umschaltbaren Halbleiterspeicherelement mit Einstellbarem Widerstand
EP1929525
Art B1
22. Dezember 2010
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1929525
- Aktenzeichen
- EP06815745
- Anmeldetag
- 27. September 2006
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2010
- Erteilung
- 22. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H01L27/24G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
308 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hitchcock, Esmond Antony
London, Großbritannien
700
Patente gesamt
32
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte