Jbs-Sic-Halbleiterbauelement
EP1929538
Art B1
7. Dezember 2016
Anmelder: Infineon Technologies AG, SiCED Electronics Development GmbH & Co KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1929538
- Aktenzeichen
- EP06793618
- Anmeldetag
- 19. September 2006
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2016
- Erteilung
- 7. Dezember 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872H01L29/36H01L29/06H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
SiCED Electronics Development GmbH & Co KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
159
Patente gesamt
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6
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Weitere Vertreter
-
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
-
Maier, Daniel Oliver
Siemens AG · München