Verfahren zur Herstellung von GAXIN1-Xn (0 X 1)-Kristall, GAXIN1-Xn (0 X 1)-Kristallsubstrat, Verfahren zur Herstellung von Gan-Kristall, Gan-Kristallsubstrat und Produkt
EP1930485
Art A1
11. Juni 2008
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1930485
- Aktenzeichen
- EP06796499
- Anmeldetag
- 17. August 2006
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C23C16/34C23C16/46C30B25/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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