Organischer Dünnfilmtransistor und Verfahren zur Oberflächenmodifikation einer Gate-Isolationsschicht in einem Organischen Dünnfilmtransistor
EP1930940
Art A1
11. Juni 2008
Anmelder: Riken 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1930940
- Aktenzeichen
- EP06783033
- Anmeldetag
- 25. August 2006
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/312H01L29/786H01L51/05H01L51/30H01L51/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Riken
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
RIKEN
Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.
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