Nichtflüchtige Doppelgate-Speichervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1932172
Art A1
18. Juni 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1932172
- Aktenzeichen
- EP06821151
- Anmeldetag
- 26. September 2006
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/792H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven